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DF120R12W2H3_B27
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DF120R12W2H3_B27

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1200 V、120 A升压IGBT模块
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DF120R12W2H3_B27
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商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    120 A
  • 最高 IC
    120 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    2.05 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2 V
  • 封装
    EasyPACK™ 2B
  • 尺寸 (length)
    56.7 mm
  • 尺寸 (width)
    48 mm
  • 技术
    IGBT3 - H3
  • 特性
    PressFIT
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    Booster
OPN
DF120R12W2H3B27BOMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 AG-EASY2B
封装名 N/A
封装尺寸 15
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 AG-EASY2B
封装名 -
封装尺寸 15
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EasyPACK ™ 2B 1200 V、120 A 升压 IGBT 模块采用 PressFIT 接触技术和高速 IGBT H3。

特性

  • 低开关损耗
  • 快速硅二极管 1200 V
  • Al2O3 基板
  • 集成 NTC 温度传感器
  • PressFIT 接触技术

应用

光伏
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区