ESD112-B1-02EL
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

ESD112-B1-02EL

数据手册
封装

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ESD112-B1-02EL
ESD112-B1-02EL
数据手册


商品详情

  • 最高 CL
    0.4 pF
  • CL
    0.23 pF
  • IEFT
    40 A
  • IPP
    3 A
  • 最高 IR
    50 nA
  • IR
    1 nA
  • Rdyn (reverse)
    1 Ω
  • Rdyn (forward)
    1 Ω
  • Vcl typ. reverse (TLP 30A)
    38V
  • Vcl typ. reverse (TLP 16A)
    29V
  • Vcl typ. reverse (@16A)
    29 V
  • VESD 范围
    -20 kV 至 20 kV
  • VWM 范围
    -5.3 V 至 5.3 V
  • 保护线路
    1
  • 环保认证
    RoHS compliant, Halogen free

OPN
ESD112B102ELE6327XTMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TSLP-2-20
封装名 N/A
封装尺寸 15000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
DE

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TSLP-2-20
封装名 -
封装尺寸 15000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
DE
双向超低电容 ESD/瞬态保护二极管

产品优势

  • 射频信号线的 ESD / 瞬态保护符合以下标准：
    • IEC61000-4-2 (ESD): ±25 kV (空气/接触)
    • IEC61000-4-4 (EFT): 40 A (5/50 ns)
    • IEC61000-4-5 (浪涌): 3 A (8/20 μs)
  • 最大工作电压：VRWM ±5.3 V
  • 极低电容：CL = 0.2 pF（典型值）
  • 低钳位电压：IPP = 16 A 时 VCL = 29 V（典型值）
  • 极低反向电流 IR <典型值 1 nA。
  • 尺寸极小，低至 0.62 x 0.32 x 0.31 mm3
  • 无铅（符合 RoHS 标准）和无卤素封装

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区