ESD113-B1-02ELS
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

ESD113-B1-02ELS

数据手册
封装

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ESD113-B1-02ELS
ESD113-B1-02ELS
数据手册


商品详情

  • 最高 CL
    0.35 pF
  • CL
    0.2 pF
  • IEFT
    50 A
  • IPP
    3 A
  • 最高 IR
    20 nA
  • IR
    1 nA
  • Rdyn (reverse)
    0.45 Ω
  • Rdyn (forward)
    0.45 Ω
  • Vcl typ. reverse (TLP 30A)
    20
  • Vcl typ. reverse (TLP 16A)
    14
  • Vcl typ. reverse (@16A)
    14 V
  • VESD 范围
    -20 kV 至 20 kV
  • VWM 范围
    -3.6 V 至 3.6 V
  • 保护线路
    1
  • 环保认证
    RoHS compliant, Halogen free

OPN
ESD113B102ELSE6327XTSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TSSLP-2-4
封装名 N/A
封装尺寸 15000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
DE

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TSSLP-2-4
封装名 -
封装尺寸 15000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
DE
双向超低电容 ESD/瞬态保护二极管

特性

  • 高速数据线的 ESD / 瞬态保护高达：
    – IEC61000-4-2 (ESD): ±20 kV (空气/接触)
    – IEC61000-4-4 (EFT): 2.5 kV / 50 A (5/50 ns)
    – IEC61000-4-5 (浪涌): 3 A (8/20 μs)
  • 反向工作电压：最大 ±3.6 V
  • 极低反向电流：< 1 nA（典型值）
  • 超低电容：CL = 0.2 pF（典型值）。
  • 极低动态电阻：RDYN = 0.45 Ω 典型值
  • 极低钳位电压：14 V 典型值
  • 极低串联电感，典型值低至 0.2 nH
  • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区