ESD5V3U2U-03F
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

ESD5V3U2U-03F

数据手册
封装

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ESD5V3U2U-03F
ESD5V3U2U-03F
数据手册


商品详情

  • 最高 CL
    0.6 pF
  • CL
    0.4 pF
  • IEFT
    40 A
  • IPP
    3 A
  • IR
    1 nA
  • 最高 IR
    50 µA
  • Rdyn (reverse)
    0.6 Ω
  • Rdyn (forward)
    0.5 Ω
  • Vcl typ. reverse (TLP 30A)
    28V
  • Vcl typ. reverse (TLP 16A)
    19V
  • Vcl typ. reverse (@16A)
    19 V
  • 最高 VESD
    20 kV
  • 最低 VESD (IEC61000-4-2 contact)
    20 kV
  • VWM
    5.3 V
  • 保护线路
    2
  • 环保认证
    RoHS compliant, Halogen free

OPN
ESD5V3U2U03FH6327XTSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
TSFP-3-1
封装名 N/A
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
TSFP-3-1
封装名 -
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE
超低电容 ESD 二极管阵列

特性

  • 高速数据线的 ESD/瞬态保护超过：IEC61000-4-2（ESD）：20 kV（空气/接触），IEC61000-4-4（EFT）：40 A（5/50 ns），IEC61000-4-5（浪涌）：3 A（8/20 μs）
  • 最大。工作电压：5.3 V
  • 极低电容：低至 0.2 pF
  • 极低钳位电压：12 V 典型值
  • 极低正向钳位电压：4 V 典型值
  • 极低反向电流：< 1 nA 典型值
  • 无铅（符合 RoHS 标准）封装
文档

设计资源

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