F3L8MR12W2M1HP_B11
现货，推荐
符合RoHS标准

F3L8MR12W2M1HP_B11

三级 1200 V CoolSiC ™ MOSFET 简易模块
数据手册
封装

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F3L8MR12W2M1HP_B11
F3L8MR12W2M1HP_B11
数据手册

商品详情

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    8.1 mΩ
  • 封装
    Easy 2B
  • 尺寸 (width)
    48 mm
  • 尺寸 (length)
    56.7 mm
  • 应用
    Solar, UPS, SST, ESS, EV Charger
  • 特性
    PressFIT, TIM
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    3-Level
推荐的
OPN
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
AG-EASY2B
封装名 N/A
封装尺寸 18
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
AG-EASY2B
封装名 -
封装尺寸 18
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EasyPACK ™ 2B 1200 V / 8 mΩ 三电平模块，采用增强型第一代 CoolSiC ™ MOSFET、集成 NTC 温度传感器、预涂热界面材料和 PressFIT 接触技术。

特性

  • 同类最佳封装：高度 12 毫米
  • 简易模块封装
  • 极低的模块杂散电感
  • 低且相等的栅极电感
  • 对称的内部芯片布局
  • 宽 RBSOA
  • 1200 V CoolSiC ™ MOSFET
  • 栅极驱动电压：+15…+18 V 和 0…-5 V
  • 最大。栅极-源极电压：+23 V 和 -10 V
  • Tvjop 在过载条件下。< 175°C
  • PressFIT 引脚
  • 热界面材料
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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