FF1400R17T2P8
现货，推荐
符合RoHS标准

FF1400R17T2P8

1700 V、1400 A 半桥 IGBT 模块
数据手册

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FF1400R17T2P8
FF1400R17T2P8
数据手册


商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    1400 A
  • 最高 IC
    1400 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.68 V
  • VCES / VRRM
    1700 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.98 V
  • 封装
    XHP™ 2
  • 尺寸 (length)
    140 mm
  • 尺寸 (width)
    99.8 mm
  • 技术
    IGBT8 - P8
  • 拓扑结构
    half-bridge
  • 最高 电压等级
    1700 V
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
FF1400R17T2P8BPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-XHP2K17
封装名 N/A
封装尺寸 1
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
DE
晶圆产地
DE,MY

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-XHP2K17
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
DE
晶圆产地
DE,MY
XHP™ 2 1700 V、1400 A 半桥 IGBT 模块，具有改进的 IGBT8 和 EC8 芯片组、高功率密度和改进的热管理，可提高效率。

特性

  • 对称模块设计
  • 低封装寄生电感
  • 铜基板
  • IGBT 8 的低栅极电荷 QG，可改善并联性能
  • EmCon 8 的增强软度性能，实现干净开关
  • 高性能陶瓷，可改善热循环性能并实现最高性能
  • Tvj = 175 °C 下的连续工作温度

产品优势

  • 高功率密度
  • 高效率
  • 提高热性能
  • 低开关和导通损耗
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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