FF225R12ME4
在产
符合RoHS标准

FF225R12ME4

1200 V、225 A 半桥 IGBT 模块
评估板

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FF225R12ME4
FF225R12ME4


商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    225 A
  • 最高 IC
    225 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.85 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.65 V
  • 封装
    EconoDUAL™ 3
  • 尺寸 (length)
    152 mm
  • 尺寸 (width)
    62 mm
  • 技术
    IGBT4 - E4
  • 拓扑结构
    half-bridge
  • 特性
    Solder Pin
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
FF225R12ME4BOSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称 AG-ECONOD
封装名 N/A
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN,HU
晶圆产地
DE,MY

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-ECONOD
封装名 -
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN,HU
晶圆产地
DE,MY
EconoDUAL™ 3 1200 V, 225 A 半桥 IGBT 模块，带TRENCHSTOP™ IGBT4，发射极受控 HE 二极管带有温度检测 NTC。 另有热接口材料可选，并有压接安装技术可选： FF225R12ME4_B11 。

特性

  • 低液位 VCEsat
  • Tvj op = 150°C
  • 标准外壳
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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