FF400R12KT4P
在产
符合RoHS标准

FF400R12KT4P

1200 V、400 A 半桥 IGBT 模块
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FF400R12KT4P
FF400R12KT4P
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商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    400 A
  • 最高 IC
    400 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.65 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.65 V
  • 封装
    62 mm
  • 尺寸 (length)
    106.4 mm
  • 尺寸 (width)
    61.4 mm
  • 技术
    IGBT4 - T4
  • 拓扑结构
    half-bridge
  • 特性
    TIM
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
FF400R12KT4PBOSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 N/A
封装尺寸 8
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
HU
晶圆产地
DE

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 -
封装尺寸 8
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
HU
晶圆产地
DE
62 mm 1200 V、400 A 半桥 IGBT 模块具有快速TRENCHSTOP™ IGBT4、优化的反偏方向和预涂热接口材料，是您设计的正确选择。

特性

  • 扩展工作温度Tvj op
  • 低开关损耗
  • 低电平VCEsat
  • 无与伦比的加固性
  • VCE(sat)与硬件温度。
  • 高功率密度
  • 预涂热接口垫。
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