FF55MR12W1M1H_B11
现货，推荐
符合RoHS标准

FF55MR12W1M1H_B11

CoolSiC ™ MOSFET 半桥模块 1200 V
数据手册

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FF55MR12W1M1H_B11
FF55MR12W1M1H_B11
数据手册

商品详情

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    52.9 mΩ
  • 封装
    Easy 1B
  • 尺寸 (length)
    62.8 mm
  • 尺寸 (width)
    33.8 mm
  • 应用
    EV Charger, Servo motor, Industrial drives
  • 特性
    PressFIT
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    Half-bridge
推荐的
OPN
FF55MR12W1M1HB11BPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-EASY1B
封装名 N/A
封装尺寸 24
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-EASY1B
封装名 -
封装尺寸 24
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EasyDUAL ™ 1B CoolSiC ™ MOSFET 半桥模块 1200 V、55 mΩ，采用 PressFit 接触技术和 Al2O3 陶瓷。

特性

  • 宽 RBSOA
  • 极低杂散电感
  • 扩大栅极驱动电压窗口
  • PressFIT 引脚

产品优势

  • 最大栅源电压扩展至 +23 V 和 -10 V
  • 过载条件下的 Tvjop 最高可达 175°C
  • 最佳性价比，可降低系统成本
  • 实现高频运行，并降低冷却要求
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