FF800R12KE7
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FF800R12KE7

1200 V、800 A 半桥 IGBT 模块
数据手册

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FF800R12KE7
FF800R12KE7
数据手册


商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    800 A
  • 最高 IC
    800 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.5 V
  • VCES / VRRM
    1200 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.8 V
  • 封装
    62 mm
  • 尺寸 (width)
    61.4 mm
  • 尺寸 (length)
    106.4 mm
  • 技术
    IGBT7 - E7
  • 拓扑结构
    half-bridge
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
FF800R12KE7HPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 N/A
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
HU
晶圆产地
AT,DE,MY

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 -
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
HU
晶圆产地
AT,DE,MY
62 mm 1200 V、800 A 双低电平饱和快速沟道 IGBT 模块，带TRENCHSTOP™ IGBT7 和发射极控制 7 二极管。

特性

  • 高功率密度 一流的
  • V CEsat
  • T vj op = 175°C 过载
  • 高爬电距离和间隙距离
  • 电气、电子设备中限制使用某些鱼类物质指令合规
  • 4 kV 交流 1 分钟绝缘
  • 采用 CTI 封装400
  • UL/CSA 证书。符合 UL1557 E83336
文档

设计资源

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