FF800R12KE7P
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FF800R12KE7P

1200V/800A双IGBT模块，预涂覆导热界面材料
数据手册

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FF800R12KE7P
FF800R12KE7P
数据手册


商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    800 A
  • 最高 IC
    800 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.5 V
  • VCES / VRRM
    1200 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.8 V
  • 封装
    62 mm
  • 尺寸 (width)
    61.4 mm
  • 尺寸 (length)
    106.4 mm
  • 技术
    IGBT7 - E7
  • 拓扑结构
    half-bridge
  • 特性
    TIM
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
FF800R12KE7PHPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 N/A
封装尺寸 8
封装类型 TRAY
湿度 N/A
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 -
封装尺寸 8
封装类型 TRAY
湿度 -
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
62 mm 1200 V、800 A 双低电平饱和快速沟道 IGBT 模块，带TRENCHSTOP™ IGBT7 和发射极控制 7 二极管。

特性

功率密度超高、业界最优饱和压降、结温工作温度175℃支持过载、爬电距离与电气间隙更大、底板绝缘设计、标准封装外壳、符合RoHS环保标准、交流4千伏1分钟绝缘耐压、封装相比漏电起痕指数＞400、具备UL/CSA认证符合 UL1557 E83336

产品优势

电流能力更强，适配三电平拓扑的NPC2拓扑，功率密度超高，无需IGBT模块并联，降低系统成本，可靠性优异
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区