FF900R12IE4P
现货，推荐
符合RoHS标准

FF900R12IE4P

1200 V、900 A 双IGBT模块
数据手册
评估板

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FF900R12IE4P
FF900R12IE4P
数据手册


商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    900 A
  • 最高 IC
    900 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.75 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.9 V
  • 封装
    PrimePACK™ 2
  • 尺寸 (length)
    172 mm
  • 尺寸 (width)
    89 mm
  • 技术
    IGBT4 - E4
  • 拓扑结构
    half-bridge
  • 特性
    TIM
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
FF900R12IE4PBOSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-PRIME2
封装名 N/A
封装尺寸 3
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
DE
晶圆产地
DE

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-PRIME2
封装名 -
封装尺寸 3
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
DE
晶圆产地
DE
PrimePACK ™ 2 1200 V、900 A 半桥双 IGBT 模块，带有 TRENCHSTOP ™ IGBT4、发射极控制 4 二极管、NTC、快速开关芯片和预涂热界面材料。

特性

  • 延长操作温度。Tvj op
  • 高直流稳定性
  • 高短路能力
  • 低开关损耗
  • 无与伦比的稳健性
  • VCEsat具有正温度。系数。
  • 4 kV AC 1 分钟绝缘
  • CTI > 400 的封装
  • 高爬电距离和间隙距离
  • 高功率和热循环能力。
  • 低温基材。阻力
  • UL 认证
文档

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