FM24W256-GTR
现货，推荐
符合RoHS标准

FM24W256-GTR

数据手册
封装

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FM24W256-GTR
FM24W256-GTR
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    1 MHz
推荐的
OPN
FM24W256-GTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM24W256-GTR是一款256-Kbit（32K × 8）串行铁电RAM（F-RAM），采用业界标准I2C接口，支持NoDelay™写入和100万亿次读写耐久性。工作电压为2.7 V至5.5 V，工业温度范围–40°C至+85°C，典型待机电流15 μA，100 kHz时工作电流最高100 μA。设备在65°C下可实现151年数据保持，适用于频繁数据记录、工业控制及替代串行EEPROM的高需求应用。符合RoHS标准，采用8脚SOIC封装。

特性

  • 256 Kbit F-RAM，32K × 8结构
  • 100万亿次读写耐久
  • 65°C下151年数据保存
  • NoDelay™即时写入
  • I2C接口最高1 MHz
  • 100 kHz时工作电流100 μA
  • 典型待机电流15 μA
  • VDD范围2.7 V至5.5 V
  • 工作温度–40°C至+85°C
  • 直接替换I2C EEPROM
  • 支持100k/400k/1 MHz I2C
  • 先进高可靠铁电工艺

产品优势

  • 实现频繁快速数据记录
  • 消除实时系统写入延迟
  • 百年以上可靠数据存储
  • 降低系统功耗
  • 宽电压简化设计
  • 适用恶劣工业环境
  • 可直接替换EEPROM
  • 兼容多速率I2C
  • 写密集应用无磨损忧虑
  • 待机低电流延长电池寿命
  • 写入后无需数据轮询
  • 关键数据高可靠性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区