现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM25040B-G

数据手册
封装
每件.
有存货

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FM25040B-G
FM25040B-G
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ)
    4.5 V to 5.5 V
  • 工作电压
    4.5 V to 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    20 MHz
推荐的
OPN
FM25040B-G
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 970
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 970
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
FM25040B-G是一款4 Kbit（512 × 8）串行铁电RAM（F-RAM），采用SPI接口，适用于频繁和快速数据写入的高耐久非易失性存储。支持最高20 MHz SPI操作，工作电压4.5 V至5.5 V，温度范围–40至+85°C，具备1014次读写循环和151年数据保存。NoDelay™写入、低工作电流和完善写保护，适用于工业控制和数据记录等应用。

特性

  • 4-Kbit F-RAM，512×8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入，数据即时存储
  • SPI接口最高20 MHz
  • 可直接替换串行闪存/EEPROM
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件/软件写保护
  • 1 MHz时工作电流250 μA
  • 典型待机电流4 μA
  • VDD工作范围4.5 V至5.5 V
  • 工作温度–40°C至+85°C

产品优势

  • 关键数据可靠非易失存储
  • 消除写入延迟提升速度
  • 支持频繁快速数据更新
  • 断电时防止数据丢失
  • 直接替换简化升级
  • SPI支持集成灵活
  • 防止误写保护数据
  • 降低系统功耗
  • 适用于恶劣工业环境
  • 长期数据保持减少维护
  • 全电压范围性能稳定
  • 易于集成现有设计

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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