FM25CL64B-G
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM25CL64B-G

可靠的 64kBit SPI F-RAM，频率为 20MHz，符合工业标准，工作温度范围为 -40°C 至 85°C
数据手册
封装

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FM25CL64B-G
FM25CL64B-G
数据手册

商品详情

  • 密度
    64 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    8Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    20 MHz
推荐的
OPN
FM25CL64B-G
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 1940
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 1940
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM25CL64B-G是一款64 Kbit（8K × 8）串行F-RAM存储器，采用高速SPI接口，支持高达20 MHz操作。其读写耐久性达100万亿次，65°C下数据可保存151年，写入速度和可靠性优于串行闪存和EEPROM。工作电压2.7 V至3.65 V，温度范围–40°C至+85°C，具低工作电流、3 μA待机电流及硬件/软件写保护，适用于工业控制和数据记录等频繁快速非易失性写入场合。

特性

  • 64 Kbit (8K × 8) F-RAM存储器
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™总线速度写入
  • SPI接口最高20 MHz
  • 硬件/软件写保护
  • 1 MHz时200 μA工作电流
  • 典型待机电流3 μA
  • VDD工作范围2.7 V至3.65 V
  • 工业温度–40°C至+85°C
  • 兼容串行闪存/EEPROM
  • 支持SPI模式0和3

产品优势

  • 可靠应对频繁快速写入
  • 消除写入延迟提升速度
  • 断电数据不丢失
  • 低功耗延长电池寿命
  • 易于集成现有设计
  • 多重保护确保数据安全
  • 适应恶劣工业环境
  • 写入后无需轮询
  • 轻松升级旧系统
  • 高耐久性降低维护
  • 宽电压适用灵活
  • 高速SPI提升数据传输
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