FM25CL64B-GTR
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM25CL64B-GTR

高密度 64kBit SPI F-RAM 存储器模块 | 20MHz，-40 至 85°C，纯锡涂层 - 工业应用的理想选择
数据手册
封装

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FM25CL64B-GTR
FM25CL64B-GTR
数据手册

商品详情

  • 密度
    64 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    8Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    20 MHz
推荐的
OPN
FM25CL64B-GTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM25CL64B-GTR是一款64 Kbit（8K × 8）串行F-RAM，采用SPI接口，支持最高20 MHz时钟，工作电压2.7 V至3.65 V，温度范围–40°C至+85°C。具备100万亿次读写耐久性、65°C下151年数据保持和总线速度NoDelay™写入，无写入延迟。拥有先进的硬件和软件写保护，符合RoHS标准，8引脚SOIC封装，适用于数据记录、工业控制及频繁非易失性写入。

特性

  • 64 Kbit (8K × 8) F-RAM存储器
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™总线速度写入
  • SPI接口最高20 MHz
  • 硬件/软件写保护
  • 1 MHz时200 μA工作电流
  • 典型待机电流3 μA
  • VDD工作范围2.7 V至3.65 V
  • 工业温度–40°C至+85°C
  • 兼容串行闪存/EEPROM
  • 支持SPI模式0和3

产品优势

  • 可靠应对频繁快速写入
  • 消除写入延迟提升速度
  • 断电数据不丢失
  • 低功耗延长电池寿命
  • 易于集成现有设计
  • 多重保护确保数据安全
  • 适应恶劣工业环境
  • 写入后无需轮询
  • 轻松升级旧系统
  • 高耐久性降低维护
  • 宽电压适用灵活
  • 高速SPI提升数据传输
文档

设计资源

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