FP35R12N2T7_B11
现货，推荐
符合RoHS标准

FP35R12N2T7_B11

1200 V、35 A PIM IGBT模块
数据手册

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FP35R12N2T7_B11
FP35R12N2T7_B11
数据手册


商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    35 A
  • 最高 IC
    35 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.6 V
  • VCES / VRRM
    1200 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.72 V
  • 封装
    EconoPIM™ 2
  • 尺寸 (length)
    107.5 mm
  • 尺寸 (width)
    45 mm
  • 技术
    IGBT7 - T7
  • 拓扑结构
    PIM
  • 特性
    PressFIT
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
FP35R12N2T7B11BPSA2
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-ECONO2B
封装名 N/A
封装尺寸 15
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
HU
晶圆产地
DE,MY

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-ECONO2B
封装名 -
封装尺寸 15
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
HU
晶圆产地
DE,MY
EconoPIM ™ 2 1200 V、35 A 三相 PIM IGBT 模块，采用 TRENCHSTOP ™ IGBT7、发射极控制 7 二极管、NTC 和 PressFIT 接触技术。集成整流器和制动斩波器的 PIM（功率集成模块）可节省系统成本。

特性

  • TRENCHSTOP ™ IGBT7
  • 低VCEsat和低开关损耗
  • 过载运行可达175°C
  • 2.5 kV AC 1分钟绝缘
  • 高可靠性和功率密度
  • 铜基板
  • 优化的散热
  • 高功率密度
  • PressFIT接触技术
  • 符合RoHS标准
文档

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