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停产
已停产
符合RoHS标准

IAUC60N04S6L030H

停产
40 V、N 通道、3.0 mΩ（最大值）、汽车 MOSFET、双 SSO8 HB（5x6）、OptiMOS ™ 6
数据手册
封装

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IAUC60N04S6L030H
IAUC60N04S6L030H
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    60 A
  • QG (typ @10V)
    27 nC
  • QG (typ @10V) max
    35 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • Package
    PG-TDSON-8
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    OptiMOS™-6
  • Launch year
    2020
  • Polarity
    N+N
  • Currently planned availability until at least
    2029
  • Qualification
    Automotive
OPN
IAUC60N04S6L030HATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Dual SSO8 HB
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Dual SSO8 HB
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
双 SSO8 5x6 mm² 封装非常适合单负载。对于桥接应用，使用双 MOSFET 的布线很复杂，并且可能需要更大的 PCB 面积，其额定电流限制为 20A。集成半桥通过为桥接应用提供增强的布线来减少 PCB 面积。它基于优化的 OptiMOS ™ 6 技术设计，提供从 3.0 mΩ 至 7.0 mΩ 的宽 RDS(ON) 范围和 60A 的更高额定电流。

特性

  • 集成半桥 SSO8 (5x6)
  • 5x6 mm² 减少占用空间
  • 针对 B6 应用优化布局
  • 优化开关和功率损耗
  • 封装符合 JEDEC 标准
  • 低功率和中功率驱动器的成本效益
  • Cu-clip 焊接
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 增强桥接应用程序的路由结果
  • 针对 OptiMOS ™ 6 进行了优化
  • RDS(ON) 范围 3.0 mΩ - 7.0 mΩ
  • DS 额定电流增加至 60A

文档

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