现货，推荐
符合RoHS标准

IAUS200N08S5N023

80 V、N 沟道、最大 2.3 mΩ、汽车 MOSFET、TOLG (10x12)、OptiMOS ™ -5
数据手册
封装
每件.
有存货

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IAUS200N08S5N023
IAUS200N08S5N023
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    200 A
  • QG (typ @10V) max
    110 nC
  • QG (typ @10V)
    85 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.3 mΩ
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Package
    TOLG (PG-HSOG-8)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    OptiMOS™-5
  • Launch year
    2019
  • Polarity
    N
  • Currently planned availability until at least
    2038
  • Qualification
    Automotive
受到推崇的
OPN
IAUS200N08S5N023ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOG-8
封装名 TOLG
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOG-8
封装名 TOLG
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

特性

  • N沟道增强模式
  • 符合 AEC Q101 要求
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 100% Avalanche 测试
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 超低 RDS(on)
  • 支持 PPAP 的设备

文档

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