现货，推荐
符合RoHS标准

IAUS300N08S5N011

80 V、N沟道、最大1.1 mΩ、汽车MOSFET、TOLG（10x12）、OptiMOS ™
数据手册
封装

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IAUS300N08S5N011
IAUS300N08S5N011
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    300 A
  • QG (typ @10V)
    178 nC
  • QG (typ @10V) max
    231 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.1 mΩ
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    PG-HSOG-8
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™-5
  • 推出年份
    2021
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2038
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUS300N08S5N011ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOG-8
封装名 TOLG
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOG-8
封装名 TOLG
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
除此之外，它还用于 48V 主逆变器/起动发电机、DCDC 转换器以及 48V 电池主开关。

特性

  • OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET
  • N沟道增强模式-正常水平
  • 符合 AEC Q101 要求
  • 增强电气测试
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 超低 RDS(on)
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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