IDB30E120
现货，推荐
符合RoHS标准

IDB30E120

采用 D2PAK TO-263 封装的 1200 V 硅功率二极管
数据手册
封装

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IDB30E120
IDB30E120
数据手册


商品详情

  • 最高 I(FSM)
    102 A
  • 最高 IF
    50 A
  • IF
    30 A
  • 最高 IR
    100 µA
  • Irrm
    23.7 A
  • 最高 Ptot
    138 W
  • Qrr
    2630 nC
  • 最高 RthJC
    0.9 K/W
  • trr
    243 ns
  • 最高 VF
    1.65 V
  • VF
    1.65 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 拓扑结构
    Single
  • 最高 电压等级
    1200 V

推荐的
OPN
IDB30E120ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
MY

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
MY
采用 D2PAK TO-263 封装的超软 1200 V、30 A 发射极控制硅功率二极管的 T j(max) 达到 150°C。根据 IEC61249-2-21 标准，这些二极管也不含卤素。

特性

  • 最低 VF 值
  • 可提供最软的二极管。市场上
  • Tj(max) 为 150°C
  • 符合 JEDEC 要求
  • 更凉爽的封装和更高的效率
  • 出色的 EMI 行为
  • 出色的成本/性能。权衡
  • 低传导损耗
  • 易于并联
文档

设计资源

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