不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IDH10SG60C

每件.
有存货

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IDH10SG60C
IDH10SG60C
每件.

商品详情

  • I(FSM) max
    51 A
  • IF max
    10 A
  • IR
    0.8 µA
  • Ptot max
    120 W
  • QC
    16 nC
  • RthJC
    1.25 K/W
  • VF
    1.8 V
  • 封装
    TO220
  • 认证标准
    Industrial
OPN
IDH10SG60CXKSA2
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌第三代 CoolSiC™ 碳化硅肖特基二极管,在任何给定额定电流下都具有业界最低的器件电容,这进一步提高了整体系统效率,尤其是在更高的开关频率和低负载条件下。 第三代基于与第二代相同的技术平台,并在封装级引入了所谓的扩散焊接。

特性

  • 第三代 SiC 肖特基二极管
  • 极低反向恢复电荷
  • 高浪涌电流能力
  • 高温工作
  • 优化的 FOM Qc*If

产品优势

  • 更高的开关频率
  • 更高的功率密度
  • 减少冷却
  • 降低EMI
  • 增加爬电距离

应用

文档

设计资源

开发者社区

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