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商品详情
-
最高 I(FSM)51 A
-
最高 IF10 A
-
IR0.8 µA
-
最高 Ptot120 W
-
QC16 nC
-
RthJC1.25 K/W
-
VF1.8 V
-
封装TO220
-
质量等级Industrial
|
OPN
|
IDH10SG60CXKSA2 |
|---|---|
| 产品状态 | not for new design |
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | TO220 |
| 封装尺寸 | 500 |
| 封装类型 | TUBE |
| 湿度 | NA |
| 防潮封装 | NON DRY |
| 无铅 | Yes |
| 无卤素 | Yes |
| 符合RoHS标准 | Yes |
| 封装产地 |
MY
|
| 晶圆产地 |
AT
|
|
|
|
| 产品状态 | not for new design |
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | TO220 |
| 封装尺寸 | 500 |
| 封装类型 | TUBE |
| 湿度 | NA |
| 防潮封装 | NON DRY |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
| 封装产地 |
MY
|
| 晶圆产地 |
AT
|
英飞凌第三代 CoolSiC™ 碳化硅肖特基二极管，在任何给定额定电流下都具有业界最低的器件电容，这进一步提高了整体系统效率，尤其是在更高的开关频率和低负载条件下。 第三代基于与第二代相同的技术平台，并在封装级引入了所谓的扩散焊接。
特性
- 第三代 SiC 肖特基二极管
- 极低反向恢复电荷
- 高浪涌电流能力
- 高温工作
- 优化的 FOM Qc*If
产品优势
- 更高的开关频率
- 更高的功率密度
- 减少冷却
- 降低EMI
- 增加爬电距离
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