请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本 请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本
IDP30C65D2
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IDP30C65D2

停产
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IDP30C65D2
IDP30C65D2
数据手册


商品详情

  • 最高 I(FSM)
    100 A
  • 最高 IF
    30 A
  • IF
    15 A
  • 最高 IR
    40 µA
  • Irrm
    5.4 A
  • 最高 Ptot
    92 W
  • Qrr
    0.16 µC
  • 最高 RthJC
    1.63 K/W
  • trr
    42 ns
  • 最高 VF
    2.2 V
  • VF
    1.6 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 175 °C
  • 拓扑结构
    Common Cathode
  • 最高 电压等级
    650 V

OPN
IDP30C65D2XKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 N/A
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 -
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
快速 2 开关 650 V、30 A 发射极控制功率硅二极管，采用共阴极配置和 TO-220 封装，可实现设计优化，实现更紧凑的尺寸、更轻松的组装，从而降低成本。

特性

  • 1.35 V 温度稳定 VF
  • 最高柔软度因子：
  • 极致柔软度
  • 低 EMI 滤波
  • 最低 Irrm：
  • 升压开关低导通损耗
  • 适用于 18 kHz 至 40 kHz 应用

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区