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停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IDP30C65D2

停产
数据手册
封装

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IDP30C65D2
IDP30C65D2
数据手册

商品详情

  • I(FSM) max
    100 A
  • IF
    15 A
  • IR max
    40 µA
  • Irrm
    5.4 A
  • Ptot max
    92 W
  • Qrr
    0.16 µC
  • RthJC max
    1.63 K/W
  • trr
    42 ns
  • VF
    1.6 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度
    -40 °C to 175 °C
  • 电压等级 max
    650 V
  • 配置
    Common Cathode
OPN
IDP30C65D2XKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
快速 2 开关 650 V、30 A 发射极控制功率硅二极管，采用共阴极配置和 TO-220 封装，可实现设计优化，实现更紧凑的尺寸、更轻松的组装，从而降低成本。

特性

  • 1.35 V 温度稳定 VF
  • 最高柔软度因子：
  • 极致柔软度
  • 低 EMI 滤波
  • 最低 Irrm：
  • 升压开关低导通损耗
  • 适用于 18 kHz 至 40 kHz 应用

应用

文档

文档

设计资源

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