IDV20E65D1
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IDV20E65D1

采用 TO-220 FullPAK 封装的 650 V 硅功率二极管
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IDV20E65D1
IDV20E65D1
数据手册


商品详情

  • 最高 I(FSM)
    120 A
  • 最高 IF
    28 A
  • IF
    15 A
  • 最高 IR
    40 µA
  • Irrm
    7.6 A
  • 最高 Ptot
    38 W
  • Qrr
    0.31 µC
  • 最高 RthJC
    4 K/W
  • trr
    65 ns
  • 最高 VF
    1.7 V
  • VF
    1.35 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 175 °C
  • 拓扑结构
    Single
  • 最高 电压等级
    650 V

推荐的
OPN
IDV20E65D1XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 PG-TO220-2
封装名 N/A
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
MY

产品状态
Active
英飞凌封装名称 PG-TO220-2
封装名 -
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
MY
采用 TO-220 FullPAK 封装的快速 1 开关 650 V、20 A 发射极控制功率硅二极管非常适合功率因数校正 (PFC) 拓扑，通常用于空调和洗衣机等主要家用电器中。

特性

  • 1.35 V 温度稳定 VF
  • 最高软度因数：
  • 极致软度
  • 低 EMI 滤波
  • 最低 Irrm：
  • 升压开关低导通损耗
  • 适用于 18 kHz 至 40 kHz 应用
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区