IDV30E65D2
在产
符合RoHS标准
无铅

IDV30E65D2

采用 TO-220 FullPAK 封装的 650 V 硅功率二极管
数据手册

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IDV30E65D2
IDV30E65D2
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商品详情

  • 最高 I(FSM)
    180 A
  • 最高 IF
    30 A
  • IF
    17.5 A
  • 最高 IR
    40 µA
  • Irrm
    5.7 A
  • 最高 Ptot
    47 W
  • Qrr
    0.25 µC
  • 最高 RthJC
    3.2 K/W
  • trr
    70 ns
  • 最高 VF
    2.2 V
  • VF
    1.6 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 175 °C
  • 拓扑结构
    Single
  • 最高 电压等级
    650 V

推荐的
OPN
IDV30E65D2XKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称 PG-TO220-2
封装名 N/A
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
MY

产品状态
Active
英飞凌封装名称 PG-TO220-2
封装名 -
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
MY
采用 TO-220 FullPAK 封装的 Rapid 2 开关 650 V、30 A 发射极控制功率硅二极管专为在 40 kHz 和 100 kHz 之间切换的应用而设计。

特性

  • 最低反向恢复电荷 Qrr
  • BiC 性能的 VF 比率
  • 低反向恢复时间 (trr)
  • 最低 Irrm 适用于：
  • 升压开关上的最低损耗
文档

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