IDW100E60
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IDW100E60

采用 TO-247 封装的 600 V 硅功率二极管
数据手册
封装

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IDW100E60
IDW100E60
数据手册


商品详情

  • 最高 I(FSM)
    400 A
  • 最高 IF
    150 A
  • IF
    100 A
  • 最高 IR
    40 µA
  • Irrm
    49.5 A
  • 最高 Ptot
    375 W
  • Qrr
    3.6 nC
  • 最高 RthJC
    0.4 K/W
  • trr
    120 ns
  • 最高 VF
    1.65 V
  • VF
    1.65 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 拓扑结构
    Single
  • 最高 电压等级
    600 V

OPN
IDW100E60FKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
MY

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
MY
采用 TO-247 封装的 600 V、100 A 发射极控制硅功率二极管主要用于高达 30kHz 的电机驱动应用。

特性

  • 最低 VF 值
  • 可提供最软的二极管。市场上
  • Tj(max) 为 175°C
  • 符合 JEDEC 要求
  • 更凉爽的封装和更高的效率
  • 出色的 EMI 行为
  • 出色的成本/性能。权衡
  • 低传导损耗
  • 易于并联
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