IDW20C65D2
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IDW20C65D2

数据手册
封装

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IDW20C65D2
IDW20C65D2
数据手册


商品详情

  • 最高 I(FSM)
    60 A
  • 最高 IF
    20 A
  • IF
    10 A
  • 最高 IR
    40 µA
  • Irrm
    4.3 A
  • 最高 Ptot
    68 W
  • Qrr
    0.13 µC
  • 最高 RthJC
    2.2 K/W
  • trr
    50 ns
  • 最高 VF
    2.2 V
  • VF
    1.6 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 175 °C
  • 拓扑结构
    Common Cathode
  • 最高 电压等级
    650 V

OPN
IDW20C65D2XKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
快速 2 开关 650 V、20 A 发射极控制功率硅二极管，采用共阴极配置和 TO-247 封装，可实现设计优化，实现更紧凑的尺寸、更轻松的组装，从而降低成本。

特性

  • 1.35 V 温度稳定 VF
  • 最高柔软度因子：
  • 极致柔软度
  • 低 EMI 滤波
  • 适用于 18 kHz 至 40 kHz 应用
  • 最低 Irrm：
  • 升压开关损耗最低
  • 低热阻

应用

图表

Silicon_diode_common_cathode
Silicon_diode_common_cathode
Silicon_diode_common_cathode Silicon_diode_common_cathode Silicon_diode_common_cathode
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