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IDW75D65D1
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IDW75D65D1

停产
采用 TO-247 封装的 650 V 硅功率二极管
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封装
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IDW75D65D1
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商品详情

  • 最高 I(FSM)
    580 A
  • 最高 IF
    150 A
  • IF
    75 A
  • 最高 IR
    40 µA
  • Irrm
    6.4 A
  • 最高 Ptot
    326 W
  • Qrr
    0.48 µC
  • 最高 RthJC
    0.46 K/W
  • trr
    127 ns
  • 最高 VF
    1.7 V
  • VF
    1.35 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 175 °C
  • 拓扑结构
    Dual Anode
  • 最高 电压等级
    650 V

OPN
IDW75D65D1XKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
MY
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
MY
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快速 1 开关 650 V、75 A 发射极控制功率硅二极管，采用双阳极配置和 TO-247 封装，可实现设计优化，实现更紧凑的尺寸、更轻松的组装，从而降低成本。

特性

  • 1.35 V 温度稳定 VF
  • 最高软度因子：
  • 最高软度因子：
  • 低 EMI 滤波
  • 适用于 18 kHz 至 40 kHz 应用
  • 最低 Irrm：
  • 升压开关损耗最低
  • 低热阻
文档

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