IDWD10G120C5
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IDWD10G120C5

采用 TO-247-2 封装的 1200 V 碳化硅肖特基二极管
数据手册

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IDWD10G120C5
IDWD10G120C5
数据手册


商品详情

  • 最高 I(FSM)
    140 A
  • 最高 IF
    35 A
  • IR
    6 A
  • 最高 Ptot
    148 W
  • QC
    57 nC
  • RthJC
    0.68 K/W
  • VF
    1.4 V
  • 封装
    PG-TO247-2
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
IDWD10G120C5XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 PG-TO247-2
封装名 N/A
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
AT

产品状态
Active
英飞凌封装名称 PG-TO247-2
封装名 -
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
AT
CoolSiC ™肖特基二极管 1200 V、10 A G5 采用 TO-247 真正 2 引脚封装，可轻松更换双极 Si 二极管。扩大的 8.7 毫米爬电距离和间隙距离可在高污染环境中提供额外的安全性。与 Si IGBT 或超结 MOSFET 结合使用时，CoolSiC ™二极管与次优 Si 二极管替代品相比可将效率提高 1%。因此，PFC 和 DC-DC 级的输出功率可大幅提高 40% 或更多。

特性

  • 无反向恢复电流
  • 无正向恢复电压
  • 与温度无关。开关行为
  • 低正向电压*
  • *即使在高工作温度下
  • 紧密的正向电压分布
  • 高浪涌电流能力
  • 真正的双引脚封装
  • 8.7 毫米爬电距离
  • 8.7 毫米电气间隙距离
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