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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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2026英飞凌宽禁带论坛在深圳举行
美国国际贸易委员会（ITC）裁定英飞凌胜诉，并对英诺赛科实施进口及销售禁令
英飞凌发布2026财年第二季度运营成果： 增长前景乐观，上调全年业绩指引。AI 热潮持续增强。汽车业务订单回暖。自第四季度起启用调整后的事业部架构
英飞凌再次入选全球可持续发展领军企业
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21/05/2026
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IGC54T65R3QE
-
最高 IC100 A
-
最高 VCE(sat)2.22 V
-
最高 VCE650 V
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最高 VDS650 V
-
VGE(th) 范围4.2 V 至 5.6 V
-
工作温度 范围-40 °C 至 175 °C
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技术IGBT HighSpeed 3
| 推荐的 | |
|
OPN
|
IGC54T65R3QEX1SA1 |
| 产品状态 | active |
| 英飞凌封装名称 | -- |
| 封装名 | N/A |
| 封装尺寸 | 1 |
| 封装类型 | WAFER SAWN |
| 湿度 | N/A |
| 防潮封装 | DRY |
| 无铅 | Yes |
| 无卤素 | Yes |
| 符合RoHS标准 | Yes |
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| 产品状态 |
Active
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|---|---|
| 英飞凌封装名称 | -- |
| 封装名 | - |
| 封装尺寸 | 1 |
| 封装类型 | WAFER SAWN |
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| 防潮封装 | DRY |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
英飞凌的 HighSpeed 3 系列在 25kHz 至 70kHz 频率范围内实现了开关损耗和传导损耗之间的最佳平衡。该系列的主要特点是类似 MOSFET 的关断开关行为，从而实现较低的关断损耗。
特性
- 正温度系数
- 易于并联
应用
文档