IGC70T120T8RQ
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IGC70T120T8RQ

数据手册
多个 OPN 可用

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IGC70T120T8RQ
IGC70T120T8RQ
数据手册


商品详情

  • 最高 IC
    75 A
  • 最高 VCE(sat)
    2.42 V
  • 最高 VCE
    1200 V
  • 最高 VDS
    1200 V
  • VGE(th) 范围
    5.3 V 至 6.3 V
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 175 °C
  • 技术
    IGBT HighSpeed 3

推荐的
OPN
IGC70T120T8RQX1SA1
产品状态 active and preferred active
英飞凌封装名称 - --
封装名 N/A N/A
封装尺寸 1 1
封装类型 HORIZONTAL FRAME SHIPPER WAFER SAWN
湿度 N/A N/A
防潮封装 DRY DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
晶圆产地 -
MY

产品状态
Active
英飞凌封装名称 -
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
湿度 -
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
晶圆产地 -

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 WAFER SAWN
湿度 -
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
晶圆产地
MY
英飞凌的 HighSpeed 3 系列在 25kHz 至 70kHz 频率范围内实现了开关损耗和传导损耗之间的最佳平衡。该系列的主要特点是类似 MOSFET 的关断开关行为，从而实现较低的关断损耗。

特性

  • 正温度系数
  • 易于并联

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区