IGZ75N65H5

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数据手册

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IGZ75N65H5
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数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.43 mJ
  • Eon
    0.68 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    75 A
  • 最高 IC (@ 25°)
    119 A
  • 最高 ICpuls
    300 A
  • 最高 Ptot
    395 W
  • QGate
    166 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10 Ω
  • td(off)
    347 ns
  • td(on)
    26 ns
  • tf
    15 ns
  • tr
    11 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • VGE(th) 范围
    3.2 V 至 4.8 V
  • VGE(th)
    4 V
  • 封装
    TO-247-4
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™5 30-100 kHz
  • 开关频率 范围
    30 kHz 至 100 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
为了进一步增强 TRENCHSTOP ™ 5 IGBT 技术的最佳性能，英飞凌在高功率封装中提供了该技术，并配备了额外的开尔文发射极引脚。TO-247 4pin 为栅极发射极控制环路提供超低电感，并将 TRENCHSTOP ™ 5 IGBT 提升到同类最佳开关性能的更高水平。采用标准 TO-247 封装主体，并添加额外的第 4 个引脚以启用开尔文发射极配置。

特性

  • 极低的含量。电感环路
  • 用于驱动器反馈的发射极引脚
  • 同上。发射极蠕变。分布。*
  • 总开关损耗减少 20%*
  • *与 TO-247 封装相比

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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