IJCQ75RM22J1
新品
即将推出
符合RoHS标准
无铅

IJCQ75RM22J1

新品
CoolSiC™ ™ 750V JFET in QDPAK TSC 提供超低的 1.6 至 4.1 mOhm RDS(on)，可实现电流保护、降低损耗和提高效率。
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封装
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IJCQ75RM22J1
IJCQ75RM22J1
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    419 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    2.19 mΩ
  • 最高 VDS
    750 V
  • 封装
    Q-DPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ JFET
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Industrial

OPN
IJCQ75RM22J1XTMA1
产品状态 coming soon
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
封装尺寸 750
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态 coming soon
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
封装尺寸 750
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
QDPAK 顶部冷却封装中的CoolSiC™ 750V JFET 提供超低的 1.6 至 4.1mOhm RDS(on)，以最大限度地减少通态损耗。它采用 SiC 宽禁带技术，可实现高效、高性能的电流保护电路，提高热量效率和可靠性，同时减少热量和运行损耗，适用于各种功率电源系统。

特性

  • 优化的高电流开关
  • 零反向恢复 (Qrr)
  • 抗雪崩能力强
  • 过载至 200°C Tj;

产品优势

  • 稳定可靠的系统
  • 效率更高
  • 尺寸更小、功率密度更高
  • 更好的线性模式稳定性
  • .XT技术提高热性能

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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