现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IKFW75N65EH5

采用 TO-247 高级隔离封装的 650 V、75 A IGBT
数据手册
封装
每件.
有存货

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IKFW75N65EH5
IKFW75N65EH5
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.6 mJ
  • Eon
    1.8 mJ
  • IC (@ 25°) max
    104 A
  • ICpuls max
    240 A
  • IF max
    74 A
  • IFpuls max
    240 A
  • Irrm
    23.5 A
  • Ptot max
    148 W
  • QGate
    144 nC
  • Qrr
    1.4 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    12 Ω
  • td(off)
    206 ns
  • td(on)
    30 ns
  • tf
    42 ns
  • tr
    35 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • Package
    PG-HSIP247-3-1
  • Switching Frequency
    30 kHz to 100 kHz
  • Technology
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
受到推崇的
OPN
IKFW75N65EH5XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSIP247-3
封装名 TO-247-3 advanced isolation
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSIP247-3
封装名 TO-247-3 advanced isolation
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
采用 TO-247 高级隔离封装的硬开关 650 V、75 A TRENCHSTOP ™ 5 H5 IGBT 分立器件是市场上效率最高的分立式 IGBT 技术，非常适合寻求卓越效率和功率密度的客户。该封装无需隔离材料，并且由于从 IGBT 芯片到散热器的有效可靠热路径，可实现高功率密度、最佳热性能和最低的冷却工作量。

特性

  • 650 V 击穿电压
  • 4 倍 Ic 脉冲电流 (100°C Tc)
  • 最低开关损耗
  • Vf 的温度稳定性
  • 2500 VRMS 电气隔离
  • 100% 经过 iso 测试。安装表面
  • 无铅电镀：符合 RoHS 标准
  • 符合 JEDEC 47/20/22 标准

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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