请注意该产品已停产。请浏览该产品系列,了解相关的替代型号。 请注意该产品已停产。请浏览该产品系列,了解相关的替代型号。
查看产品系列
IKP30N65H5
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IKP30N65H5

停产
650 V、30 A IGBT,带反并联二极管,采用 TO-220 封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IKP30N65H5
IKP30N65H5


商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.1 mJ
  • Eon
    0.28 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    35 A
  • 最高 IC (@ 25° )
    55 A
  • 最高 ICpuls
    90 A
  • 最高 IF
    36 A
  • 最高 IFpuls
    90 A
  • Irrm
    14.3 A
  • 最高 Ptot
    188 W
  • QGate
    70 nC
  • Qrr
    410 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    23 Ω
  • td(off)
    180 ns
  • td(on)
    18 ns
  • tf
    22 ns
  • tr
    4 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • VF
    1.35 V
  • 封装
    TO-220-3
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™5 30-100 kHz
  • 开关频率 范围
    30 kHz 至 100 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5

OPN
IKP30N65H5XKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE
高速 650 V、30 A TRENCHSTOP ™ 5 IGBT 采用 TO-220 封装,与快速柔软 RAPID 1 反并联二极管共同封装。

特性

  • 650 V 击穿电压
  • 与我们的 HighSpeed 3 系列相比
  • Qg
  • 开关损耗降低 2 倍
  • VCE(sat)
  • 降低 200 mV
  • 与快速 Si 二极管共同封装
  • 低 COES/EOSS
  • 温和阳性。温度。 系数。VCE(sat)
  • Vf
  • 的温度稳定性
文档

设计资源

开发者社区