不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IKP30N65H5

650 V、30 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-220 封装
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IKP30N65H5
IKP30N65H5
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.1 mJ
  • Eon
    0.28 mJ
  • IC (@ 100°) max
    35 A
  • IC (@ 25° ) max
    55 A
  • ICpuls max
    90 A
  • IF max
    36 A
  • IFpuls max
    90 A
  • Irrm
    14.3 A
  • Ptot max
    188 W
  • QGate
    70 nC
  • Qrr
    410 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    23 Ω
  • td(off)
    180 ns
  • td(on)
    18 ns
  • tf
    22 ns
  • tr
    4 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.35 V
  • Package
    TO-220-3
  • Switching Frequency
    30 kHz to 100 kHz
  • Technology
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
OPN
IKP30N65H5XKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
高速 650 V、30 A TRENCHSTOP ™ 5 IGBT 采用 TO-220 封装，与快速柔软 RAPID 1 反并联二极管共同封装。

特性

  • 650 V 击穿电压
  • 与我们的 HighSpeed 3 系列相比
  • Qg
  • 开关损耗降低 2 倍
  • VCE(sat)
    • 降低 200 mV
  • 与快速 Si 二极管共同封装
  • 低 COES/EOSS
  • 温和阳性。温度。 系数。VCE(sat)
  • Vf
    • 的温度稳定性

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }