IKY150N65EH7
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IKY150N65EH7

650 V、150 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO247PLUS-4 封装
数据手册
封装

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IKY150N65EH7
IKY150N65EH7
数据手册

商品详情

  • Eoff
    3.9 mJ
  • Eon
    3.6 mJ
  • 最高 IC (@ 25°)
    160 A
  • 最高 IC (@ 100°)
    160 A
  • 最高 ICpuls
    600 A
  • 最高 IF
    160 A
  • 最高 IFpuls
    600 A
  • Irrm
    146 A
  • 最高 Ptot
    621 W
  • QGate
    300 nC
  • Qrr
    10400 nC
  • td(off)
    383 ns
  • td(on)
    41 ns
  • tf
    28 ns
  • tr
    31 ns
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • VF
    1.65 V
  • VGE(th)
    3.85 V
  • 封装
    TO-247PLUS-4pin
  • 开关频率 范围
    16 kHz 至 100 kHz
  • 技术
    TRENCHSTOP™ IGBT7
推荐的
OPN
IKY150N65EH7XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 N/A
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 -
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 TO247PLUS-4 封装技术的硬开关 650 V、120 A TRENCHSTOP ™ IGBT7 H7 分立器件已经开发出来，以满足绿色高效能源应用的需求，同时还比其前几代产品有了显着的改进。

特性

  • 得益于著名的 TRENCHSTOP ™技术，VCE(sat) 性能出色
  • 非常柔软、快速恢复的反并联二极管
  • Tj(max) 高达 175°C
  • 针对硬开关、两级和三级拓扑进行了优化

产品优势

  • 高功率密度技术，额定电流高达 150 A
  • 优化应用条件下的性能
  • 最低传导损耗
  • 最低开关损耗
  • 恶劣环境下的湿度稳定性
  • 改进的 EMI 性能
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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