IKZ75N65ES5
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IKZ75N65ES5

650 V、75 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-247 封装
数据手册
封装

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IKZ75N65ES5
IKZ75N65ES5
数据手册


商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    1.3 mJ
  • Eon
    1.5 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    80 A
  • 最高 IC (@ 25°)
    300 A
  • 最高 ICpuls
    300 A
  • 最高 IF
    80 A
  • 最高 IFpuls
    300 A
  • Irrm
    36 A
  • 最高 Ptot
    395 W
  • QGate
    164 nC
  • Qrr
    1000 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    22.3 Ω
  • td(off)
    405 ns
  • td(on)
    46 ns
  • tf
    22 ns
  • tr
    25 ns
  • VCE(sat)
    1.42 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • VF
    1.5 V
  • 封装
    TO-247-4
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™ 5 15-40 kHz
  • 开关频率 范围
    15 kHz 至 40 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5

推荐的
OPN
IKZ75N65ES5XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
硬开关 650 V、75 A 高速 TRENCHSTOP ™ 5 S5 IGBT，采用 TO-247-4 封装，带有额外的开尔文发射极引脚。TO-247 4pin 为栅极发射极控制环路提供超低电感，并将 TRENCHSTOP ™ 5 IGBT 提升到同类最佳开关性能的更高水平。

特性

  • 非常低的控制电感环路
  • 用于驱动器反馈的发射极引脚
  • 蠕变。集电极分布 = TO-247
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区