现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IKZA75N65SS5

650 V、75 A IGBT 分立器件，带碳化硅肖特基二极管
数据手册
封装
每件.
有存货

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IKZA75N65SS5
IKZA75N65SS5
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.42 mJ
  • Eon
    0.13 mJ
  • IC (@ 25°) max
    80 A
  • IC (@ 100°) max
    80 A
  • ICpuls max
    300 A
  • IF max
    57 A
  • IFpuls max
    225 A
  • Ptot max
    395 W
  • QGate
    164 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    5.6 Ω
  • td(off)
    155 ns
  • td(on)
    20 ns
  • tf
    25 ns
  • tr
    7 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.35 V
  • VGE(th)
    4 V
  • 封装
    TO-247-4
  • 开关频率
    10 kHz to 30 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5, Silicon Carbide Schottky Diode
推荐的
OPN
IKZA75N65SS5XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
TRENCHSTOP ™ 5 S5 650 V、75A IGBT 分立器件与全额定 CoolSiC ™肖特基二极管 G6 共同封装在开尔文发射极 TO247-4 封装中。 CoolSiC ™混合分立器件能够减少总开关损耗，并显著提高开关频率。 开尔文发射极 TO247 4 针封装为栅极发射极控制环路提供了超低电感，进一步提高了开关性能，尤其是在高开关频率下。

特性

  • 超低开关损耗
  • TRENCHSTOP ™ 5 IGBT
  • CoolSiC ™二极管
  • 极低的通态损耗
  • 基准开关效率*
  • *在硬开关拓扑中
  • 简化的 PCB 设计
  • 优化的封装引脚分配
  • 无铅电镀：符合 RoHS 标准
  • 符合 JEDEC 47/20/22 标准

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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