IMBF170R450M1
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMBF170R450M1

CoolSiC ™ 1700 V SiC 沟槽MOSFET，采用TO-263-7封装
数据手册
封装
评估板

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IMBF170R450M1
IMBF170R450M1
数据手册

商品详情

  • Ciss
    610 pF
  • Coss
    16 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    9.8 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    107 W
  • Qgd
    5.9 nC
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    450 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    1.3 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    1700 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    TO-263-7
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    7 Pins
  • 技术
    CoolSiC™ G1
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
IMBF170R450M1XTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 N/A
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 -
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CoolSiC ™ 1700 V、450 mΩ SiC MOSFET 采用 TO-263-7 高爬电距离封装，针对反激式拓扑进行了优化，可用于连接到 600 V 至 1000 V 直流母线电压的辅助电源，适用于众多电源应用。

特性

  • 针对反激式拓扑结构进行了优化
  • 极低的开关损耗
  • 12 V / 0 V 栅源电压
  • 与反激式控制器兼容
  • 完全可控的 dV/dt
  • SMD 封装
  • 爬电距离增强，> 7 毫米
  • 电气间隙，> 7 毫米
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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