现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMBG120R012M2H

CoolSiC ™ MOSFET 1200 V G2，采用 TO-263-7 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IMBG120R012M2H
IMBG120R012M2H
每件.
数据手册

商品详情

  • Ciss
    4050 pF
  • Coss
    176 pF
  • ID (@ TC=25°C) max
    144 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    600 W
  • Qgd
    34 nC
  • QG
    124 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    12.2 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.25 K/W
  • Tj max
    200 °C
  • VDS max
    1200 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    TO-263-7
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    7 Pins
  • Technology
    CoolSiC™ G2
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
IMBG120R012M2HXTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CoolSiC ™ MOSFET 1200 V、12 mΩ G2 采用 D2PAK-7L（TO-263-7）封装，以第一代技术的优势为基础，能够加速系统设计，从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进，适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。

特性

  • VGS = 18 V、Tvj = 25°C 时，RDS(on) = 12.2 mΩ
  • 极低的开关损耗
  • 过载工作温度高达 Tvj = 200°C
  • 短路耐受时间 2 µs
  • 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.2 V
  • 具有抗寄生导通能力，可施加 0 V 关断栅极电压
  • 坚固的体二极管，适用于硬换向
  • .XT 互连技术，实现一流的热性能

产品优势

  • 更高的能源效率
  • 冷却优化
  • 更高的功率密度
  • 新的稳健性特性
  • 高度可靠

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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