IMDQ75B032M2H
新品
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMDQ75B032M2H

新品
CoolSiC™ MOSFET bidirectional switch (BDS) 750 V
数据手册
封装

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IMDQ75B032M2H
IMDQ75B032M2H
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    74 A
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    40 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    32 mΩ
  • 最高 VDS
    750 V
  • 封装
    Q-DPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ BDS G2
  • 极性
    N
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
IMDQ75B032M2HXTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
封装尺寸 750
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
AT

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
封装尺寸 750
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
AT
Built on the rugged CoolSiC™ G2 technology, the IMDQ75B032M2H integrates two SiC power switches in a dual‑die common‑drain architecture within a top‑side‑cooled  Q‑DPAK package, simplifying system design and enabling  next‑generation topologies. Designed for modern power grids and  energy systems, it delivers high reliability, efficiency, and low lifetime TCO.

特性

  • Two dies in back to back
  • Overload capability 200°C for 100h
  • Ready for native liquid cooling
  • 2 μs Short circuit ruggedness
  • 100% avalanche tested
  • 840 Vbr maximum
  • 2.3 mm package height

产品优势

  • Enhanced lifetime
  • Lowest system TCO
  • Replaces two Q-DPAK standalone devices
  • 66% lower parasitics over TO247-4
  • Superior compact cell design
  • Better PCB utilization using both side
  • Support conduction and liquid cooling

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区