现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

IMLT65R050M2H

采用 TOLT 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V G2
每件.
有存货

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IMLT65R050M2H
IMLT65R050M2H
每件.

商品详情

  • ID (@25°C) max
    47 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    50 mΩ
  • RthJC max
    0.66 K/W
  • VDS max
    650 V
  • Package
    TOLT
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    CoolSiC™ G2
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
OPN
IMLT65R050M2HXTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TOLT
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TOLT
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
TOLT 中的 CoolSiC ™ MOSFET 分立 650 V G2 利用 CoolSiC ™第二代一流的开关性能,此外还具备顶部冷却的所有优点。现在可以补充 CoolSiC ™和 CoolMOS ™中已有的 QDPAK,以实现完全分立的顶部冷却解决方案,从而获得更好的热性能、系统成本降低和简化以及更便宜的组装。

特性

  • 优异的品质因数 (FOM)
  • 高稳健性和整体质量
  • 灵活的驱动电压范围
  • 支持单极驱动(VGS(off)=0)
  • 更低的热阻
  • 改进了与 .XT 的封装互连
  • 顶部冷却

产品优势

  • 节省 BOM 成本
  • 最大化单位成本的系统性能
  • 最高可靠性
  • 实现最高效率和功率密度
  • 简化组装和冷却
  • 水冷“就绪”
  • 允许无风扇或散热器的设计
  • 更低的杂散电感
  • 更好的门控

文档

设计资源

开发者社区

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