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符合RoHS标准
无铅

IMT65R083M1H

采用 TOLL 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 650 V
数据手册
封装
评估板

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IMT65R083M1H
IMT65R083M1H
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    59 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    83 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • Package
    TOLL
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    CoolSiC™ G1
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
IMT65R083M1HXUMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 TOLL 封装的 CoolSIC ™ MOSFET 650 V、83 mΩ 利用英飞凌 SiC 技术的优势，实现更高密度的设计和更高的开关频率操作。TOLL 的小尺寸和低寄生特性使其能够高效且有效地利用电路板空间，并且能够以更高的频率驱动 MOSFET，从而达到更高的功率密度。CoolSIC ™TOLL 封装提供的 MOSFET 650 V、83 mΩ 与 TOLL 也适用于 CoolMOS ™和 CoolGaN ™相辅相成，使其成为适用于各种系统的具有吸引力的一站式服务选择。与 D²PAK 相比，热阻抗的降低，加上创新的 .XT 互连，使 83 mΩ 产品适用于中等功率系统，从而优化了单位价格性能。它非常适合中功率系统中新兴的图腾柱 PFC 拓扑，同时还能实现 DC-DC 和 AC-DC 级的高效率和高密度。它还成功用于交错拓扑，以满足高功率到中功率系统的高效率目标。

特性

  • 第一代 CoolSiC ™
  • 栅极电荷低
  • COSS中存储能量低
  • Qrr
  • 平坦 COSS
  • 平坦 RDS(on) 随温度变化

产品优势

  • 硬开关效率更高
  • 软开关效率更高
  • 体二极管硬换流
  • 高可靠性
  • 开尔文源
  • 开尔文源

应用

文档

文档

设计资源

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