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IMW120R045M1
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IMW120R045M1

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CoolSiC ™ 1200V SiC 沟槽MOSFET，采用TO247-3封装
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封装
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IMW120R045M1
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商品详情

  • Ciss
    1900 pF
  • Coss
    115 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    52 A
  • 最高 Ptot (@25°C)
    228 W
  • Qgd
    13 nC
  • QG (typ @15V)
    52 nC
  • RDS (on) (@15V)
    45 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    45 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    0.66 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    1200 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247-3
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 技术
    CoolSiC™ G1
  • 极性
    N
  • 质量等级
    Industrial

OPN
IMW120R045M1XKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
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CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、45 mΩ G1 采用 TO247-3 封装，基于最先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。

特性

  • 同类最佳的开关
  • 同类最佳的传导损耗
  • 高阈值电压，Vth > 4 V
  • 0V 关断栅极电压
  • 宽栅极-源极电压范围
  • 坚固耐用且低损耗的体二极管
  • 温度。独立关闭开关。损失
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