不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IMW120R045M1

CoolSiC ™ 1200V SiC 沟槽MOSFET，采用TO247-3封装
数据手册
封装
评估板
每件.
有存货

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IMW120R045M1
IMW120R045M1
每件.
数据手册

商品详情

  • Ciss
    1900 pF
  • Coss
    115 pF
  • ID (@25°C) max
    52 A
  • Ptot (@25°C) max
    228 W
  • Qgd
    13 nC
  • QG (typ @15V)
    52 nC
  • RDS (on) (@15V)
    45 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    45 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.66 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    1200 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO-247-3
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Technology
    CoolSiC™ G1
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
OPN
IMW120R045M1XKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、45 mΩ G1 采用 TO247-3 封装，基于最先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。

特性

  • 同类最佳的开关
  • 同类最佳的传导损耗
  • 高阈值电压，Vth > 4 V
  • 0V 关断栅极电压
  • 宽栅极-源极电压范围
  • 坚固耐用且低损耗的体二极管
  • 温度。独立关闭开关。损失

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