IMY120R036CM2H
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMY120R036CM2H

CoolSiC™ MOSFET 混合单管 1200 V，采用 TO-247PLUS-4 封装
数据手册
封装

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IMY120R036CM2H
IMY120R036CM2H
数据手册


商品详情

  • Ciss
    1460 pF
  • Coss
    76 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    44 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    171 W
  • Qgd
    8.2 nC
  • QG
    37 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    36 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    0.87 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    1200 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    PG-TO247-4-U10
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    4 Pins
  • 技术
    CoolSiC™ G2
  • 极性
    N
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
IMY120R036CM2HXKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 N/A
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
AT

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 -
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
AT
CoolSiC™ MOSFET 混合分立式 1200 V、36 mΩ G2 采用 TO-247-4-引脚封装，将第 2 代 MOSFET 技术的先进功能与软开关 1200 V、56 A 发射极控制 7 硅二极管相结合。该创新解决方案专为太阳能 MPPT 级而设计，可为具有更高可靠性和更优化性能的系统提供增强的性能。

特性

  • VGS = 18V、Tvj = 25°C 时，RDS = 36mΩ
  • 反极性保护
  • 在 Tc = 100°C 时 IF = 56 A
  • 开关损耗非常低
  • 基准栅极阈值电压， VGS(th) ) = 4.2 V
  • 寄生导通高鲁棒性
  • 软且低水平的 Qrr 二极管，Tc = 175°C 时 VF = 1.6 V

产品优势

  • 优化性能
  • 高可靠性
  • 高功率密度
  • 更好的散热效率
  • 易用性

应用

光伏
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区