IMZA65R057M1H
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IMZA65R057M1H

CoolSiC ™ MOSFET 650V – SiC MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装，性能可靠且经济高效
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封装
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IMZA65R057M1H
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    85 A
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    74 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    57 mΩ
  • 最高 VDS
    650 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO247 4-pin (asymmetric leads)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G1
  • 极性
    N
  • 质量等级
    Industrial

OPN
IMZA65R057M1HXKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
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产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
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CoolSiC ™ MOSFET 技术利用碳化硅的强大物理特性，增加了独特的功能，提高了设备的性能、稳健性和易用性。这款 650V CoolSiC ™采用最先进的沟槽 MOSFET 构建，经过优化，可在应用中给定导通电阻时实现最低开关损耗，并在运行中实现最高可靠性。

特性

  • 第一代 CoolSiC ™
  • 栅极电荷低
  • COSS中存储能量低
  • Qrr
  • 平坦 COSS
  • 平坦 RDS(on) 随温度变化

产品优势

  • 硬开关效率更高
  • 软开关效率更高
  • 体二极管硬换流
  • 高可靠性
  • 开尔文源
  • 开尔文源
  • 爬电距离增加
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