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IMZA65R107M1H
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IMZA65R107M1H

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CoolSiC™ MOSFET 650 V G1 in TO247-4L
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封装
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IMZA65R107M1H
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    48 A
  • 最高 Ptot
    75 W
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    142 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    108 mΩ
  • 最高 VDS
    650 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO247 4-pin (asymmetric leads)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    4 Pins
  • 技术
    CoolSiC™ G1
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Industrial
OPN
IMZA65R107M1HXKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CoolSiC ™ MOSFET 技术利用碳化硅的强大物理特性，增加了独特的功能，提高了设备的性能、稳健性和易用性。这款 650V CoolSiC ™采用最先进的沟槽 MOSFET 构建，经过优化，可在应用中给定导通电阻时实现最低开关损耗，并在运行中实现最高可靠性。
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