IMZC120R026M2H
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMZC120R026M2H

CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V G2，采用 TO-247 4 引脚高爬电距离封装
数据手册
封装
评估板

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IMZC120R026M2H
IMZC120R026M2H
数据手册
  • Ciss
    1990 pF
  • Coss
    85 pF
  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    69 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    289 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG
    60 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    25 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    0.52 K/W
  • 最高 Tj
    200 °C
  • 最高 VDS
    1200 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247-4 high creepage
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    4 Pins
  • 技术
    CoolSiC™ G2
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
IMZC120R026M2HXKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO-247-4 HC 8.8mm
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO-247-4 HC 8.8mm
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
1200 V、26 mΩ G2 采用 TO-247 4 引脚高爬电封装，在第一代技术的优势基础上进行了重大改进，为成本更优化、高效、紧凑、易于设计和可靠的系统提供了先进的解决方案。它增强了所有常见 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合的硬开关操作和软开关拓扑的性能。

特性

  • RDS(on) = 26 mΩ（VGS = 18 V、Tvj = 25°C）
  • 极低的开关损耗
  • 最大更宽。VGS范围从 -10 V 至 +25 V
  • 过载运行最高可达 Tvj = 200°C
  • 短路耐受时间 2 µs
  • 基准栅极阈值电压 4.2 V
  • 具有抗寄生开启能力
  • .XT互连技术
  • 更严格的 VGS(th) 参数分布

产品优势

  • 更高的能源效率
  • 冷却优化
  • 更高的功率密度
  • 新的稳健性特性
  • 高度可靠
  • 轻松并行
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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