IPA083N10N5
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IPA083N10N5

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 100 V，采用 TO-220 FullPAK 封装
数据手册
封装

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IPA083N10N5
IPA083N10N5
数据手册


商品详情

  • Ciss
    2100 pF
  • Coss
    337 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    44 A
  • 最高 IDpuls
    176 A
  • 最高 Ptot
    36 W
  • QG (typ @10V)
    30 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    8.3 mΩ
  • 最高 RthJC
    4.1 K/W
  • Rth
    4.1 K/W
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220 FullPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.7

推荐的
OPN
IPA083N10N5XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220 FullPAK
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
AT,DE

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220 FullPAK
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
AT,DE
Infineon 的 80 V/100 V OptiMOS™ 5 工业功率 MOSFET 被设计用于电信和服务器电源的同步整流；它们也是太阳能、低压驱动和笔记本电脑适配器等其他应用的理想选择。

特性

  • 针对同步整流进行了优化
  • 非常适合高开关频率
  • 输出电容减少 44%
  • 与上一代产品相比，RDS(on) 降低 43%

产品优势

  • 最高系统效率
  • 降低开关和传导损耗
  • 减少并联需求
  • 提高功率密度
  • 低电压过冲
文档

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