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符合RoHS标准
无铅

IPA083N10NM5S

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OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 100V，采用 TO-220 FullPAK 封装（IPA083N10NM5S）
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封装
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IPA083N10NM5S
IPA083N10NM5S
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商品详情

  • ID (@ TC=25°C) max
    50 A
  • ID (@25°C) max
    50 A
  • IDpuls max
    200 A
  • Ptot max
    36 W
  • QG (typ @10V)
    30 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    8.3 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    TO-220 FullPAK
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.89
OPN
IPA083N10NM5SXKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220
封装名 TO220 FullPAK
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220
封装名 TO220 FullPAK
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌采用TO-220 FullPAK封装的功率MOSFET 100V（IPA083N10NM5S）满足了提高系统效率的要求，同时降低了系统成本。英飞凌的 OptiMOS ™功率 MOSFET 具有 8.3mOhm 的低 RDS(on)，可提高效率。此外，由于功率密度的增加，新的 TO-220 FullPAK 产品组合扩展是同步整流的绝佳解决方案。它针对电视、桌面、适配器和游戏应用程序进行了优化。

特性

  • 低电压过冲
  • 低导通电阻 (RDS(on))
  • 电气隔离封装

产品优势

  • 所需并联数量更少
  • 电路板无热量
  • 产生热量更少
  • 适合 TO-220 封装

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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